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SAM半導體可飽和吸收鏡的整個結(jié)構(gòu)內(nèi)部的光電場的分布可以為可飽和吸收體插入位置的選擇提供參考依據(jù)，理論上可飽和吸收體應當位于入射光電場的振蕩波峰位置，以有效的實現(xiàn)可飽和吸收。但是因為量子阱較多，因而只能保證一個在電場的峰值。SAM半導體可飽和吸收鏡的微觀特性：1、能帶間隙即禁帶寬度。它決定半導體可飽和吸收體的吸收波長，吸收系數(shù)一般在104/cm左右。以III-V族化合物半導體為例,吸收帶一般在可見光和近紅外波段。為了適應各種吸收波長的需要，常常要用三元化合物半導體,如砷化鎵鋁...

自相關儀主要被用來測量鎖模激光器的超短脈沖寬度。利用光電探測的方法一般不能測量鎖模激光器的脈沖寬度，光電探測器和示波器的最快響應時間約200fs，然而激光脈沖可以做到幾個飛秒。自相關儀一般利用到的光學非線性效應有：二次諧波產(chǎn)生（SHG）、雙光子吸收（TPA）、以及更高階的非線性效應。邁克爾遜自相關儀，將激光的時間量變成空間量，即將時間的測量變成對長度的測量。將脈沖激光用50/50的分光片分成兩束，利用鏡片組在一束光里引入延遲，然后將兩束光合并，讓一束激光對另外一束光進行掃描，...

TeraSense高功率太赫茲源：Terasource2016-04-1311:11:09點擊：31屹持光電新推出的高功率電-真空太赫茲源，是基于返波管BWO效應研發(fā)而成。電子槍發(fā)射出的電子束被外部磁場縱向聚焦，磁場是由一塊*性磁鐵產(chǎn)生。電子束在一個慢波結(jié)構(gòu)（slow-wavestructure）中相互作用，與此同時，和電子束反向的行波產(chǎn)生。產(chǎn)生的電磁波被波導耦合輸出。通過改變加速電壓，設備的輸出頻率在一定范圍內(nèi)可以被電控制。電-真空太赫茲源可以產(chǎn)生很強的太赫茲輸出功率，真正...

如果您已經(jīng)具備了fs激光器，并且對THz時域光譜系統(tǒng)比較熟悉，Eachwave提供客戶自己搭建THz-TDS的所有配件。THz-TDS光路示意圖太赫茲工具箱提供太赫茲時域光譜儀系統(tǒng)（THz-TDS）中的主要配件，并且針對系統(tǒng)中的硬件提供相應的控制軟件，我們也可以提供搭建系統(tǒng)的設計方案。主要硬件包括：1，電子盒套裝,包括脈沖電壓產(chǎn)生器和鎖相探測裝置；2，帶有準直TPX透鏡的THz天線；3，線性步進電機；4，配套光譜儀軟件,可實現(xiàn)快/慢掃描、成像和角度掃描等，THz頻譜計算分析如...